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厦门MOS-P P沟道达林顿管场效应管
  • 厦门MOS-P P沟道达林顿管场效应管
  • 品牌: 国产 型号: MOS-P LY5801 种类: 结型(JFET) 沟道类型: P沟道 导电方式: 增强型 用途: S/开关 封装外形: CHIP/小型片状 材料: GE-P-FET锗P沟道 开启电压: /(V) 夹断电压: /(V) 跨导: /(μS) 极间电容: /(pF) 低频噪声系数:
  • 2013-04-09   福建厦门
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广东场效应管 特价热卖2SK1020
  • 广东场效应管 特价热卖2SK1020
  • 品牌: FUJI/富士通 型号: 2SK1020 种类: 结型(JFET) 沟道类型: P沟道 导电方式: 增强型 用途: ZF/中放 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 材料: GE-P-FET锗P沟道 开启电压: 标准(V) 夹断电压: 标准(V) 跨导: 标准(μS) 极间电容: 标准(pF) 低
  • 2013-04-09   广东深圳
  •    深圳市福田区华联微电子经营部  [认证会员]
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广东PMBFJ177  NXP/恩智浦高频管IC
  • 广东PMBFJ177 NXP/恩智浦高频管IC
  • 材料: P-FET硅P沟道 种类: 结型(JFET) 类型: 其它 型号: PMBFJ177 封装外形: SMD(SO)/表面封装 品牌: NXP/恩智浦 用途: A/宽频带放大 沟道类型: P沟道 导电方式: 耗尽型 封装: SOT-23
  • 2013-04-09   重庆市
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广东MOSFET管SI2301
  • 广东MOSFET管SI2301
  • 规格参数 最大耗散功率:4(mW) 最大漏极电流:46(mA) 低频噪声系数:44(dB) 极间电容:22(pF) 跨导:322(μS) 夹断电压:44(V) 开启电压:45(V) 材料:GaAS-FET砷化镓 封装外形:CHIP/小型片状 用途:MOS-FBM/全桥组件 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 种类:结型(JFET) 型号:SI2301 品牌:AO
  • 2013-04-09   广东深圳
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广东【场效应管】IRFR9310
  • 广东【场效应管】IRFR9310
  • 批号: 10+ 材料: N-FET硅N沟道 种类: 结型(JFET) 类型: 其他IC 型号: IRFR9310 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 品牌: IR/国际整流器 用途: HF/高频(射频)放大 沟道类型: P沟道 导电方式: 增强型 封装: TO-252
  • 2013-04-09   广东
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厦门MOS-P P沟道达林顿管场效应管
  • 厦门MOS-P P沟道达林顿管场效应管
  • 品牌: 国产 型号: MOS-P LY5801 种类: 结型(JFET) 沟道类型: P沟道 导电方式: 增强型 用途: S/开关 封装外形: CHIP/小型片状 材料: GE-P-FET锗P沟道 开启电压: /(V) 夹断电压: /(V) 极间电容: /(pF) 低频噪声系数: /(dB) 最大漏极电流:
  • 2013-04-09   福建厦门思明
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广东MOS管SI2305/2305
  • 广东MOS管SI2305/2305
  • 规格参数 最大耗散功率:.(mW) 最大漏极电流:..(mA) 低频噪声系数:.(dB) 极间电容:.(pF) 低频跨导:.(μS) 夹断电压:.(V) 开启电压:.(V) 材料:IGBT绝缘栅比极 封装外形:SMD(SO)/表面封装 用途:数码产品 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 种类:结型(JFET) 型号:SI2305 品牌:TF
  • 2013-04-09   广东深圳
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  • 品牌: FAIRCHILD/仙童 型号: FDN360P 种类: 结型(JFET) 沟道类型: P沟道 导电方式: 增强型 用途: ZF/中放 封装外形: WAFER/裸芯片 材料: SIT静电感应 开启电压: 其他(V) 夹断电压: 其他(V) 跨导: 其他(μS) 极间电容: 其他(pF) 低频噪声系
  • 2013-04-09   广东深圳
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  • 品牌: IR/国际整流器 型号: ST380CH06C0 种类: 结型(JFET) 沟道类型: P沟道 导电方式: 增强型 用途: AM/调幅 封装外形: CHIP/小型片状 材料: ALGaAS铝镓砷 开启电压: 600(V) 夹断电压: 1200(V) 跨导: 10(μS) 极间电容: 120(pF)
  • 2013-04-09   广东深圳
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原装场效应管.IRF9540N.IRF540N
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贴片场效应管SI2301DS
  • 贴片场效应管SI2301DS
  • 规格参数 材料:MES金属半导体 封装外形:SMD(SO)/表面封装 用途:A/宽频带放大 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 种类:结型(JFET) 型号:SI2301DS,SI2303ADS-T1-E3 品牌:SI/VISHAY
  • 2013-03-23   重庆市
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东莞特价现货供应 场效应管CET9435
  • 东莞特价现货供应 场效应管CET9435
  • 规格参数 最大耗散功率:10(mW) 最大漏极电流:20(mA) 低频噪声系数:50(dB) 极间电容:20(pF) 低频跨导:20(μS) 夹断电压:1(V) 开启电压:2(V) 材料:P-FET硅P沟道 封装外形:SMD(SO)/表面封装 用途:MOS-ARR/陈列组件 导电方式:耗尽型 沟道类型:P沟道 种类:结型(JFET) 型号:CET9435 品牌:CET/华瑞
  • 2013-03-23   广东东莞
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