高压超结MOS
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SI3865DV-T1  场效应管
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SE9435 MOS管  P沟道
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AOS万代场效应管AO7413
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MOS场效应晶体管 IRF830芯片
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场效应管 SSM6J401TU,KPD
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SI5933DC 双P沟道场效应管
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场效应管 SSM6P16FE,DT
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  • 2013-08-20   广东佛山
  •    佛山市智通达机电设备有限公司  [免费会员]
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广东20CTH03 20CTH03PBF
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  • 品牌: IR/国际整流器 型号: 20CTH03 种类: 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型: P沟道 导电方式: 耗尽型 用途: MOS-TPBM/三相桥 封装外形: P-DIT/塑料双列直插 材料: N-FET硅N沟道 开启电压: 200(V) 夹断电压: 120(V) 跨导: 10(μS) 极间电容: 200(pF
  • 2013-04-09   广东深圳
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上海华晶场效应管CS214BA3HD
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  • 封装外形: SMD(SO)/表面封装 型号: CS214BA3HD TO-251 材料: P-FET硅P沟道 用途: L/功率放大 品牌: 华晶 沟道类型: P沟道 种类: 绝缘栅(MOSFET) 导电方式: 耗尽型 华晶MOS管一级代理: 性价比优势
  • 2013-03-23   上海市区金山
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场效应管 SSM3J328RKFH
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  • 规格参数 导电方式:耗尽型 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 品牌:TOSHIBA/东芝 用途:S/开关 材料:P-FET硅P沟道 型号:SSM3J328R,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-20V,-6A,0.0298Ω 封装外形:SMD(SO)/表面封装
  • 2013-03-23   广东深圳
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